Codice costruttore

MOSFET Infineon, canale Tipo N 55 V, 100 mΩ Miglioramento, 4.4 A, 4 Pin, SOT-223, Superficie

Codice RS:: 830-3300P
Codice costruttore:: IRLL024NTRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo N 55 V, 100 mΩ Miglioramento, 4.4 A, 4 Pin, SOT-223, Superficie

Sconto per quantità disponibile

Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 100 unità (fornito in una striscia continua)*

41,80 €

(IVA esclusa)

51,00 €

(IVA inclusa)

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

Temporaneamente esaurito

1340 unità in spedizione dal 08 giugno 2026

Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità	Per unità
100 - 180	0,418 €
200 - 480	0,394 €
500 - 980	0,364 €
1000 +	0,34 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 830-3300P
Codice costruttore:: IRLL024NTRPBF
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.

Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	4.4A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	55V
	Tipo di package	SOT-223
	Serie	HEXFET
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	4
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	100mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd	2.1W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	10.4nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione diretta Vf	1V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Altezza	1.739mm
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	6.7mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 4.4A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 55V
	Tipo di package SOT-223
	Serie HEXFET
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 4
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 100mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd 2.1W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 10.4nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione diretta Vf 1V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Altezza 1.739mm
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 6.7mm
	Standard automobilistico No

MOSFET di potenza a canale N da 55 V, Infineon

La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminali e fattori di forma adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

Transistor MOSFET, Infineon

Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.