MOSFET Infineon, canale N, 100 mΩ, 4,4 A, SOT-223, Montaggio superficiale

Codice RS:: 830-3300
Codice costruttore:: IRLL024NTRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 100 mΩ, 4,4 A, SOT-223, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 830-3300
Codice costruttore:: IRLL024NTRPBF
Costruttore:: Infineon

IRLL024N, HEXFET Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	4,4 A
Tensione massima drain source	55 V
Tipo di package	SOT-223
Serie	HEXFET
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	100 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2V
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	2,1 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-16 V, +16 V
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	6.7mm
Carica gate tipica @ Vgs	10,4 nC a 5 V
Larghezza	3.7mm
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.739mm

MOSFET Infineon, canale N, 100 mΩ, 4,4 A, SOT-223, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza a canale N da 55 V, Infineon

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