MOSFET Infineon, canale Tipo N 55 V, 100 mΩ Miglioramento, 4.4 A, 4 Pin, SOT-223, Superficie IRLL024NTRPBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
830-3300
Codice costruttore:
IRLL024NTRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

4.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Serie

HEXFET

Tipo di package

SOT-223

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

100mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

2.1W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

10.4nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.7mm

Altezza

1.739mm

Larghezza

3.7 mm

Distrelec Product Id

304-44-473

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N da 55 V, Infineon


La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminali e fattori di forma adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

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