MOSFET Infineon, canale N, 65 mΩ, 5,2 A, SOT-223, Montaggio superficiale

Codice RS:: 830-3304
Codice costruttore:: IRLL2705TRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 65 mΩ, 5,2 A, SOT-223, Montaggio superficiale

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1pz in confezione da 20

0,658 €

(IVA esclusa)

0,803 €

(IVA inclusa)

60 In consegna il giorno lavorativo successivo per ordini pervenuti entro le 19:00 (magazzino in Italia)*

220 Entro 2 giorni lavorativi per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa).

* Le date di consegna possono variare in base alla quantità selezionata e all'indirizzo di consegna.

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

Unità	Per unità	Per confezione**
20 - 80	0,658 €	13,16 €
100 - 180	0,507 €	10,14 €
200 - 480	0,474 €	9,48 €
500 - 980	0,441 €	8,82 €
1000 +	0,408 €	8,16 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 830-3304
Codice costruttore:: IRLL2705TRPBF
Costruttore:: Infineon

IRLL2705, HEXFET Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	5,2 A
Tensione massima drain source	55 V
Serie	HEXFET
Tipo di package	SOT-223
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	65 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2V
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	2,1 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-16 V, +16 V
Lunghezza	6.7mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	32 nC a 10 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	3.7mm
Altezza	1.739mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Infineon, canale N, 65 mΩ, 5,2 A, SOT-223, Montaggio superficiale

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

MOSFET di potenza a canale N da 55 V, Infineon

Link consigliati