MOSFET Infineon, canale N, 65 mΩ, 5,2 A, SOT-223, Montaggio superficiale

Codice RS:: 168-8747
Codice costruttore:: IRLL2705TRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 65 mΩ, 5,2 A, SOT-223, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 168-8747
Codice costruttore:: IRLL2705TRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET di potenza a canale N da 55 V, Infineon

La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminali e fattori di forma adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

MOSFET Infineon serie HEXFET, 5,2A di corrente continua massima di scarico, 2,1W di dissipazione di potenza massima - IRLL2705TRPBF

Questo MOSFET ad alte prestazioni è progettato per una gestione efficiente della potenza in diverse applicazioni. Con una configurazione a canale N, offre eccellenti capacità di commutazione, rendendolo adatto a compiti che richiedono una risposta rapida e una perdita di energia ridotta al minimo. Questo componente migliora l'efficienza e l'affidabilità dei circuiti elettronici, soprattutto nei sistemi di automazione e controllo.

Caratteristiche e vantaggi

• Corrente di drenaggio continua massima di 5,2A
• Tensione nominale di drenaggio-sorgente di 55 V
• Bassa Rds(on) di 65mΩ per un funzionamento efficiente
• Pacchetto compatto SOT-223 per progetti a ingombro ridotto

Applicazioni

• Ideale per i circuiti di alimentazione
• Utilizzato nei sistemi di gestione dell'alimentazione per autoveicoli
• Comunemente impiegato per la commutazione in circuiti ad alta frequenza
• Si integra bene negli inverter di potenza per impianti a energia rinnovabile

Qual è la tensione massima che questo componente può gestire?

Il prodotto supporta una tensione massima di drain-source di 55 V, consentendo prestazioni robuste in varie applicazioni.

Può funzionare ad alte temperature?

Sì, è classificato per una temperatura operativa massima di +150°C, garantendo l'affidabilità in ambienti difficili.

Come gestisce il calore questo componente durante il funzionamento?

Con una dissipazione di potenza massima di 2,1W, gestisce efficacemente le prestazioni termiche, riducendo il rischio di surriscaldamento.

È compatibile con i progetti di PCB standard?

Questo componente è adatto alla tecnologia di montaggio superficiale, consentendo una facile integrazione nei layout dei circuiti stampati standard.

Cosa lo rende una scelta adatta per i progetti di automazione?

La sua capacità di commutazione rapida e la bassa resistenza di accensione contribuiscono a un significativo risparmio energetico, migliorando l'efficienza dei sistemi automatizzati.

Transistor MOSFET, Infineon

Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	5,2 A
Tensione massima drain source	55 V
Tipo di package	SOT-223
Serie	HEXFET
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	65 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2V
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	2,1 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-16 V, +16 V
Materiale del transistor	Si
Larghezza	3.7mm
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	6.7mm
Carica gate tipica @ Vgs	32 nC a 10 V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.739mm