MOSFET Infineon, canale N, 65 mΩ, 5,2 A, SOT-223, Montaggio superficiale

Codice RS:: 168-8747
Codice costruttore:: IRLL2705TRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 65 mΩ, 5,2 A, SOT-223, Montaggio superficiale

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Unità	Per unità	Per bobina**
2500 - 2500	0,332 €	830,00 €
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**prezzo indicativo

Codice RS:: 168-8747
Codice costruttore:: IRLL2705TRPBF
Costruttore:: Infineon

IRLL2705, HEXFET Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	5,2 A
Tensione massima drain source	55 V
Tipo di package	SOT-223
Serie	HEXFET
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	65 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2V
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	2,1 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-16 V, +16 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	3.7mm
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	32 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	6.7mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.739mm

MOSFET Infineon, canale N, 65 mΩ, 5,2 A, SOT-223, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza a canale N da 55 V, Infineon

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