MOSFET Infineon, canale Tipo N 55 V, 65 mΩ Miglioramento, 5.2 A, 4 Pin, SOT-223, Superficie
- Codice RS:
- 168-8747
- Codice costruttore:
- IRLL2705TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
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|---|---|---|
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 168-8747
- Codice costruttore:
- IRLL2705TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 5.2A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 55V | |
| Tipo di package | SOT-223 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 65mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 16 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2.1W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 32nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 3.7 mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 6.7mm | |
| Altezza | 1.739mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 5.2A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 55V | ||
Tipo di package SOT-223 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 65mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 16 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2.1W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 32nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 3.7 mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 6.7mm | ||
Altezza 1.739mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- MY
MOSFET Infineon serie HEXFET, 5,2A di corrente continua massima di scarico, 2,1W di dissipazione di potenza massima - IRLL2705TRPBF
Questo MOSFET ad alte prestazioni è progettato per una gestione efficiente della potenza in diverse applicazioni. Con una configurazione a canale N, offre eccellenti capacità di commutazione, rendendolo adatto a compiti che richiedono una risposta rapida e una perdita di energia ridotta al minimo. Questo componente migliora l'efficienza e l'affidabilità dei circuiti elettronici, soprattutto nei sistemi di automazione e controllo.
Caratteristiche e vantaggi
• Corrente di drenaggio continua massima di 5,2A
• Tensione nominale di drenaggio-sorgente di 55 V
• Bassa Rds(on) di 65mΩ per un funzionamento efficiente
• Pacchetto compatto SOT-223 per progetti a ingombro ridotto
Applicazioni
• Ideale per i circuiti di alimentazione
• Utilizzato nei sistemi di gestione dell'alimentazione per autoveicoli
• Comunemente impiegato per la commutazione in circuiti ad alta frequenza
• Si integra bene negli inverter di potenza per impianti a energia rinnovabile
Qual è la tensione massima che questo componente può gestire?
Il prodotto supporta una tensione massima di drain-source di 55 V, consentendo prestazioni robuste in varie applicazioni.
Può funzionare ad alte temperature?
Sì, è classificato per una temperatura operativa massima di +150°C, garantendo l'affidabilità in ambienti difficili.
Come gestisce il calore questo componente durante il funzionamento?
Con una dissipazione di potenza massima di 2,1W, gestisce efficacemente le prestazioni termiche, riducendo il rischio di surriscaldamento.
È compatibile con i progetti di PCB standard?
Questo componente è adatto alla tecnologia di montaggio superficiale, consentendo una facile integrazione nei layout dei circuiti stampati standard.
Cosa lo rende una scelta adatta per i progetti di automazione?
La sua capacità di commutazione rapida e la bassa resistenza di accensione contribuiscono a un significativo risparmio energetico, migliorando l'efficienza dei sistemi automatizzati.
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