MOSFET Infineon, canale Tipo N 55 V, 0.075 Ω Miglioramento, 5.1 A, 4 Pin, SOT-223, Superficie

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Codice RS:
262-6765
Codice costruttore:
IRFL024ZTRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

5.1A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Tipo di package

SOT-223

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.075Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.3V

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza Infineon utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza estremamente bassa per area di silicio. Questo design è dotato di caratteristiche aggiuntive come la temperatura d'esercizio della giunzione di 175 °C, la velocità di commutazione rapida e una migliore resistenza alle valanghe ripetitive.

Resistenza all'accensione estremamente bassa

Valanga ripetitiva consentita fino a Tjmax

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