MOSFET Infineon, canale Tipo N 55 V, 0.075 Ω Miglioramento, 5.1 A, 4 Pin, SOT-223, Superficie IRFL024ZTRPBF

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 25 unità*

11,35 €

(IVA esclusa)

13,85 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 250 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
25 - 1000,454 €11,35 €
125 - 2250,431 €10,78 €
250 - 6000,413 €10,33 €
625 - 12250,272 €6,80 €
1250 +0,216 €5,40 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
262-6766
Codice costruttore:
IRFL024ZTRPBF
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

5.1A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Tipo di package

SOT-223

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.075Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.3V

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza Infineon utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza estremamente bassa per area di silicio. Questo design è dotato di caratteristiche aggiuntive come la temperatura d'esercizio della giunzione di 175 °C, la velocità di commutazione rapida e una migliore resistenza alle valanghe ripetitive.

Resistenza all'accensione estremamente bassa

Valanga ripetitiva consentita fino a Tjmax

Link consigliati