MOSFET Infineon, canale Tipo N 55 V, 280 mΩ Miglioramento, 2.8 A, 4 Pin, SOT-223, Superficie IRLL014NTRPBF

Codice RS:: 830-3307
Codice costruttore:: IRLL014NTRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo N 55 V, 280 mΩ Miglioramento, 2.8 A, 4 Pin, SOT-223, Superficie IRLL014NTRPBF

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Codice RS:: 830-3307
Codice costruttore:: IRLL014NTRPBF
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	2.8A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	55V
	Serie	HEXFET
	Tipo di package	SOT-223
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	4
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	280mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd	2.1W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	9.5nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	16 V
	Tensione diretta Vf	1V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Altezza	1.739mm
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	6.7mm
	Larghezza	3.7 mm
	Standard automobilistico	No
	Distrelec Product Id	304-44-472

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 2.8A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 55V
	Serie HEXFET
	Tipo di package SOT-223
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 4
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 280mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd 2.1W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 9.5nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 16 V
	Tensione diretta Vf 1V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Altezza 1.739mm
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 6.7mm
	Larghezza 3.7 mm
	Standard automobilistico No
	Distrelec Product Id 304-44-472

Paese di origine:: CN

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 2,8 A, dissipazione di potenza massima di 2,1 W - IRLL014NTRPBF

Questo MOSFET di Infineon, appartenente alla famiglia HEXFET, è stato progettato per garantire elevate prestazioni in diverse applicazioni elettriche ed elettroniche. Essendo un dispositivo a canale N che opera in modalità enhancement, svolge un ruolo fondamentale nella gestione dell'alimentazione dei dispositivi che richiedono un'elevata affidabilità in condizioni difficili. Le tecnologie avanzate sono integrate per gestire efficacemente carichi elettrici consistenti mantenendo un design compatto.

Caratteristiche e vantaggi

• Corrente di scarico continua massima di 2,8A per prestazioni affidabili

• Ampio intervallo di tensione fino a 55 V per diverse applicazioni

• La bassa resistenza di drain-source di 280mΩ riduce al minimo le perdite di potenza

• Elevata stabilità termica con una temperatura massima di esercizio di +150°C

• Opzioni di tensione di soglia del gate potenziate per migliorare le capacità di commutazione

• Progettato per applicazioni a montaggio superficiale, per favorire l'integrazione dei PCB

Applicazioni

• Utilizzato nei sistemi di automazione per un controllo efficace dei motori

• Impiegato nei circuiti di alimentazione per un'efficiente regolazione della tensione

• Adatto per la commutazione nei dispositivi elettronici

• Integrato nei sistemi di gestione delle batterie per ottimizzare l'uso dell'energia

• Applicabile nei driver LED per migliorare l'efficienza di controllo

Qual è la tecnica di montaggio consigliata per ottenere prestazioni ottimali?

L'utilizzo di tecniche di montaggio superficiale garantisce migliori prestazioni termiche ed efficienza di spazio sui circuiti stampati.

Come si deve considerare la massima tensione gate-source nella progettazione dei circuiti?

È importante mantenere la tensione gate-source entro i limiti specificati da -16V a +16V per garantire l'integrità e le prestazioni del dispositivo.

Questo componente è in grado di gestire le alte temperature in ambienti operativi?

È classificato per il funzionamento in ambienti fino a +150°C, il che lo rende adatto ad applicazioni ad alta temperatura.

È compatibile con i sistemi di batterie a bassa tensione?

Sì, è in grado di gestire applicazioni a bassa tensione, garantendo al contempo un efficace controllo della potenza e un'efficienza di commutazione.