MOSFET Infineon, canale N, 280 mΩ, 2,8 A, SOT-223, Montaggio superficiale

Codice RS:: 830-3307
Codice costruttore:: IRLL014NTRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 280 mΩ, 2,8 A, SOT-223, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 830-3307
Codice costruttore:: IRLL014NTRPBF
Costruttore:: Infineon

IRLL014N, HEXFET Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	2,8 A
Tensione massima drain source	55 V
Serie	HEXFET
Tipo di package	SOT-223
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	280 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2V
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	2,1 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-16 V, +16 V
Larghezza	3.7mm
Carica gate tipica @ Vgs	9,5 nC a 10 V
Lunghezza	6.7mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.739mm

MOSFET Infineon, canale N, 280 mΩ, 2,8 A, SOT-223, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza a canale N da 55 V, Infineon

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