MOSFET Infineon, canale Tipo P 40 V, 3.5 mΩ Miglioramento, -2.8 A, 3 Pin, SOT-223, Superficie ISP25DP06LMSATMA1

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Codice RS:
250-0566
Codice costruttore:
ISP25DP06LMSATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

-2.8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

SOT-223

Serie

ISP

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Tensione diretta Vf

1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

I MOSFET a piccolo segnale a canale P OptiMOSTM Infineon da 60 V in contenitore SOT-223 sono la nuova tecnologia destinata alle applicazioni di consumo. Il vantaggio principale di un dispositivo di piccolo segnale a canale P è la riduzione della complessità di progettazione in applicazioni di media e bassa potenza.

Facile interfaccia a MCU

Con commutazione rapid

Resistenza alle valanghe

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