MOSFET Infineon, canale Tipo P 40 V, 3.5 mΩ Miglioramento, -2.8 A, 3 Pin, SOT-223, Superficie ISP25DP06LMSATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
250-0566
Codice costruttore:
ISP25DP06LMSATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

-2.8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

ISP

Tipo di package

SOT-223

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1V

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

I MOSFET a piccolo segnale a canale P OptiMOSTM Infineon da 60 V in contenitore SOT-223 sono la nuova tecnologia destinata alle applicazioni di consumo. Il vantaggio principale di un dispositivo di piccolo segnale a canale P è la riduzione della complessità di progettazione in applicazioni di media e bassa potenza.

Facile interfaccia a MCU

Con commutazione rapid

Resistenza alle valanghe

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