MOSFET Infineon, canale Tipo N 55 V, 0.16 Ω, 1.9 A, SOT-223, Superficie

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
257-5817P
Codice costruttore:
IRFL014NTRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

1.9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Tipo di package

SOT-223

Serie

HEXFET Fifth Generation

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.16Ω

Tensione diretta Vf

1V

Dissipazione di potenza massima Pd

2.1W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

7nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

Lead-Free

Standard automobilistico

No

Questo MOSFET di Infineon è un HEXFET di quinta generazione di un raddrizzatore internazionale che utilizza tecniche di lavorazione avanzate per ottenere valori estremamente bassi.

Struttura a celle planari per un'ampia SOA

Ottimizzato per la più ampia disponibilità dei partner di distribuzione

Qualificazione del prodotto in conformità allo standard JEDEC

Silicio ottimizzato per le applicazioni di commutazione sotto<100 kHz

Pacchetto di montaggio superficiale standard del settore

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