MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 300 mΩ Miglioramento, 1.7 A, 4 Pin, SOT-223, Superficie BSP373NH6327XTSA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
752-8224
Codice costruttore:
BSP373NH6327XTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

1.7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

SOT-223

Serie

SIPMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

300mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

6.2nC

Tensione diretta Vf

0.82V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.8W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

3.5 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.5mm

Altezza

1.6mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Distrelec Product Id

304-45-302

MOSFET canale N Infineon SIPMOS®


Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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