MOSFET Infineon, canale N 100 V, 300 mΩ Miglioramento, 1.7 A, 4 Pin, SOT-223, Superficie BSP373NH6327XTSA1

Codice RS:: 752-8224
Codice Distrelec:: 304-45-302
Codice costruttore:: BSP373NH6327XTSA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N 100 V, 300 mΩ Miglioramento, 1.7 A, 4 Pin, SOT-223, Superficie BSP373NH6327XTSA1

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Codice RS:: 752-8224
Codice Distrelec:: 304-45-302
Codice costruttore:: BSP373NH6327XTSA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	N
	Massima corrente di scarico continua Id	1.7A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	100V
	Serie	SIPMOS
	Tipo di package	SOT-223
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	4
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	300mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd	1.8W
	Tensione diretta Vf	820mV
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	6.2nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	-20V, +20V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Larghezza	3.5mm
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	6.5mm
	Altezza	1.6mm
	Standard automobilistico	AEC-Q101

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale N
	Massima corrente di scarico continua Id 1.7A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V
	Serie SIPMOS
	Tipo di package SOT-223
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 4
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 300mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd 1.8W
	Tensione diretta Vf 820mV
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 6.2nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -20V, +20V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Larghezza 3.5mm
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 6.5mm
	Altezza 1.6mm
	Standard automobilistico AEC-Q101

MOSFET Infineon serie SIPMOS, tensione massima della sorgente di drenaggio di 100 V, corrente di drenaggio continua massima di 1,7 A - BSP373NH6327XTSA1

Questo MOSFET è un transistor di potenziamento a canale N compatto progettato per la commutazione di potenza e il controllo a montaggio superficiale in ambienti difficili. Funziona in un ampio intervallo di temperature e gestisce livelli moderati di corrente e tensione continua, il che lo rende adatto per i sistemi elettronici che richiedono un robusto elemento di commutazione compatibile con il settore automobilistico.

Caratteristiche e vantaggi:

• Il valore nominale drain-source di 100 V consente applicazioni di commutazione ad alta tensione
• L'Rds(on) di 300 mΩ riduce le perdite di conduzione alla corrente nominale
• La corrente di drenaggio continua di 1,7 A supporta carichi a stato stazionario
• La carica di gate tipica di 6,2 nC consente un controllo di commutazione efficiente
• La dissipazione di potenza massima di 1,8 W gestisce lo stress termico durante l'uso
• La tensione massima gate-sorgente di 20 V consente livelli di azionamento gate flessibili

Applicazioni

• Adatto per la gestione dell'alimentazione nei moduli elettronici automobilistici
• Ideale per convertitori CC/CC in assemblaggi limitati
• Utilizzato con azionamenti per motori per il controllo dell'attuatore a bassa potenza
• Può essere utilizzato per la commutazione del carico nelle unità telematiche
• Utilizzato per la gestione della batteria nei sistemi ausiliari del veicolo

Quale contenitore viene utilizzato per il montaggio compatto a livello di scheda?

È fornito in un contenitore SOT-223 progettato per l'assemblaggio a montaggio superficiale per risparmiare spazio sul circuito stampato consentendo al contempo il trasferimento del calore attraverso la linguetta.

Come si comporta in ambienti ad alta temperatura?

È specificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, consentendo l'uso in condizioni ambientali elevate o alloggiamento motore.

Quale numero di pin e stile di montaggio devono aspettarsi i progettisti?

Il dispositivo utilizza quattro pin ed è progettato per il montaggio diretto in superficie su un circuito stampato per il collegamento meccanico ed elettrico.

Questo dispositivo è adatto per i requisiti di qualificazione automobilistica?

È conforme alle norme AEC-Q101 di livello automobilistico per i dispositivi a semiconduttore, in linea con le specifiche di affidabilità elettronica dei veicoli.