MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 300 mΩ Miglioramento, 1.7 A, 4 Pin, SOT-223, Superficie BSP373NH6327XTSA1

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

4,60 €

(IVA esclusa)

5,60 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 100 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
  • Più 3535 unità in spedizione dal 04 giugno 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
5 +0,92 €4,60 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
752-8224
Codice Distrelec:
304-45-302
Codice costruttore:
BSP373NH6327XTSA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

1.7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

SOT-223

Serie

SIPMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

300mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

0.82V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

6.2nC

Dissipazione di potenza massima Pd

1.8W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.5mm

Altezza

1.6mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET canale N Infineon SIPMOS®


Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.