MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 400 V, 3.4 Ω Miglioramento, 1.8 A, 4 Pin, SOT-223, Superficie STN3N40K3
- Codice RS:
- 151-445
- Codice costruttore:
- STN3N40K3
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 151-445
- Codice costruttore:
- STN3N40K3
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 1.8A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 400V | |
| Tipo di package | SOT-223 | |
| Serie | SuperMESH3 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 3.4Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | ±30 V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 11nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.5V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 6.7mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Larghezza | 3.7 mm | |
| Altezza | 1.8mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 1.8A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 400V | ||
Tipo di package SOT-223 | ||
Serie SuperMESH3 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3.4Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±30 V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 11nC | ||
Tensione diretta Vf 1.5V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 6.7mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Larghezza 3.7 mm | ||
Altezza 1.8mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET di potenza STMicroelectronics è il risultato dei miglioramenti applicati alla tecnologia Super MESH, combinata con una nuova struttura verticale ottimizzata. Questo dispositivo vanta una resistenza all'accensione estremamente bassa, prestazioni dinamiche superiori e un'elevata capacità di avalanche, il che lo rende adatto per le applicazioni più impegnative.
Capacità dv/dt estremamente elevata
Carica gate ridotta al minimo
Capacità intrinseca molto bassa
Caratteristiche di recupero inverso del diodo migliorate
Protezione Zener
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