MOSFET Infineon, canale Tipo P 60 V, 800 mΩ Miglioramento, 1.17 A, 4 Pin, SOT-223, Superficie
- Codice RS:
- 178-5070
- Codice costruttore:
- BSP315PH6327XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 1000 unità*
212,00 €
(IVA esclusa)
259,00 €
(IVA inclusa)
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | 0,212 € | 212,00 € |
| 2000 - 2000 | 0,202 € | 202,00 € |
| 3000 + | 0,189 € | 189,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 178-5070
- Codice costruttore:
- BSP315PH6327XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 1.17A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Serie | SIPMOS | |
| Tipo di package | SOT-223 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 800mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.8W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 5.2nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | -20V, +20V | |
| Tensione diretta Vf | -0.97V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 3.5mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 6.5mm | |
| Altezza | 1.6mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 1.17A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Serie SIPMOS | ||
Tipo di package SOT-223 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 800mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.8W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 5.2nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -20V, +20V | ||
Tensione diretta Vf -0.97V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 3.5mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 6.5mm | ||
Altezza 1.6mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
MOSFET Infineon serie SIPMOS, tensione massima drain source di 60 V, dissipazione di potenza massima di 1,8 W - BSP315PH6327XTSA1
Caratteristiche e vantaggi:
• Corrente di drenaggio continua di 1,17 A per l'erogazione di potenza a segnale ridotto
• RDS(on) massimo di 800 mΩ per perdite di conduzione ridotte
• Carica gate tipica di 5,2 nC per un gate drive efficiente
• Dissipazione di potenza di 1,8 W che consente un funzionamento a bassa potenza prolungato
• Certificazione AEC‐Q101 per la tolleranza alle sollecitazioni di livello automobilistico
Applicazioni
• Ideale per la protezione contro l'inversione di polarità nell'elettronica automobilistica
• Utilizzato con convertitori CC/CC a bassa potenza per la commutazione high-side
• Può essere utilizzato per la disconnessione del carico nei moduli telematici
• Adatto per schede di controllo di potenza compatte che richiedono il montaggio superficiale
Entro quale intervallo di temperatura può operare?
Quale contenitore e metodo di montaggio utilizza?
Quanti pin sono disponibili per i collegamenti ai circuiti?
Quale tensione massima di gate deve essere rispettata durante l'uso?
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