MOSFET Infineon, canale Tipo P 100 V, 800 mΩ Miglioramento, 1 A, 4 Pin, SOT-223, Superficie

Codice RS:: 165-5812
Codice costruttore:: BSP322PH6327XTSA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo P 100 V, 800 mΩ Miglioramento, 1 A, 4 Pin, SOT-223, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 1000 unità*

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Codice RS:: 165-5812
Codice costruttore:: BSP322PH6327XTSA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo P
	Massima corrente di scarico continua Id	1A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	100V
	Serie	SIPMOS
	Tipo di package	SOT-223
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	4
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	800mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	-20V, +20V
	Tensione diretta Vf	840mV
	Dissipazione di potenza massima Pd	1.8W
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	12.4nC
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Larghezza	3.5mm
	Altezza	1.6mm
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	6.5mm
	Standard automobilistico	AEC-Q101

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo P
	Massima corrente di scarico continua Id 1A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V
	Serie SIPMOS
	Tipo di package SOT-223
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 4
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 800mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -20V, +20V
	Tensione diretta Vf 840mV
	Dissipazione di potenza massima Pd 1.8W
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 12.4nC
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Larghezza 3.5mm
	Altezza 1.6mm
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 6.5mm
	Standard automobilistico AEC-Q101

Paese di origine:: CN

MOSFET Infineon serie SIPMOS, tensione massima della sorgente di drenaggio di 100 V, dissipazione di potenza massima di 1,8 W - BSP322PH6327XTSA1

Questo MOSFET è un dispositivo di potenziamento a canale P progettato per la commutazione di potenza a montaggio superficiale in ambienti difficili. Funziona in un ampio intervallo di temperature ed è adatto per le attività di commutazione a canale P ad alta tensione in cui è richiesta una forma di contenitore compatta e una robustezza di livello automobilistico.

Caratteristiche e vantaggi:

• Il valore nominale di drenaggio di 100 V consente la capacità di commutazione ad alta tensione
• L'Rds(on) di 800 mΩ riduce al minimo le perdite di conduzione sotto carico
• La corrente di drenaggio continua di 1 A supporta correnti da basse a moderate
• La dissipazione massima di 1,8 W consente una gestione stabile della potenza
• La carica di gate tipica di 12,4 nC fornisce richieste di gate drive prevedibili
• La tensione massima gate-source di 20 V mantiene un margine di azionamento sicuro

Applicazioni

• Adatto per la commutazione del carico nei moduli elettronici automobilistici
• Ideale per circuiti di protezione contro la polarità ad alta tensione
• Utilizzato per la gestione dell'alimentazione in sistemi alimentati a batteria
• Può essere utilizzato per la prevenzione della corrente inversa nelle guide CC
• Adatto per fasi compatte di conversione di potenza a montaggio superficiale

Quale intervallo di temperatura può tollerare sul campo?

È specificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, il che lo rende adatto per ambienti termici difficili.

Quanti pin e stile di montaggio possono aspettarsi i progettisti?

Il dispositivo è dotato di quattro pin ed è progettato per l'assemblaggio a montaggio superficiale in un ingombro SOT-223.

Quale caratteristica elettrica determina i requisiti di velocità di commutazione?

La carica del gate di 12,4 nC indica la carica richiesta al gate e informa la selezione dei driver del gate e la temporizzazione dell'azionamento.

Quali sono le dimensioni dell'involucro meccanico importanti per la pianificazione del layout?

Il componente misura 6,5 x 3,5 x 1,6 mm, il che contribuisce a considerare l'ingombro e la distanza.