MOSFET Infineon, canale Tipo P 100 V, 800 mΩ Miglioramento, 1 A, 4 Pin, SOT-223, Superficie BSP322PH6327XTSA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
826-9279
Codice costruttore:
BSP322PH6327XTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

1A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

SOT-223

Serie

SIPMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

800mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

1.8W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Tensione diretta Vf

840mV

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

12.4nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

3.5mm

Altezza

1.6mm

Lunghezza

6.5mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET Infineon serie SIPMOS, tensione massima della sorgente di drenaggio di 100 V, dissipazione di potenza massima di 1,8 W - BSP322PH6327XTSA1


Questo MOSFET è un dispositivo di potenziamento a canale P progettato per la commutazione di potenza a montaggio superficiale in ambienti difficili. Funziona in un ampio intervallo di temperature ed è adatto per le attività di commutazione a canale P ad alta tensione in cui è richiesta una forma di contenitore compatta e una robustezza di livello automobilistico.

Caratteristiche e vantaggi:


• Il valore nominale di drenaggio di 100 V consente la capacità di commutazione ad alta tensione
• L'Rds(on) di 800 mΩ riduce al minimo le perdite di conduzione sotto carico
• La corrente di drenaggio continua di 1 A supporta correnti da basse a moderate
• La dissipazione massima di 1,8 W consente una gestione stabile della potenza
• La carica di gate tipica di 12,4 nC fornisce richieste di gate drive prevedibili
• La tensione massima gate-source di 20 V mantiene un margine di azionamento sicuro

Applicazioni


• Adatto per la commutazione del carico nei moduli elettronici automobilistici
• Ideale per circuiti di protezione contro la polarità ad alta tensione
• Utilizzato per la gestione dell'alimentazione in sistemi alimentati a batteria
• Può essere utilizzato per la prevenzione della corrente inversa nelle guide CC
• Adatto per fasi compatte di conversione di potenza a montaggio superficiale

Quale intervallo di temperatura può tollerare sul campo?


È specificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, il che lo rende adatto per ambienti termici difficili.

Quanti pin e stile di montaggio possono aspettarsi i progettisti?


Il dispositivo è dotato di quattro pin ed è progettato per l'assemblaggio a montaggio superficiale in un ingombro SOT-223.

Quale caratteristica elettrica determina i requisiti di velocità di commutazione?


La carica del gate di 12,4 nC indica la carica richiesta al gate e informa la selezione dei driver del gate e la temporizzazione dell'azionamento.

Quali sono le dimensioni dell'involucro meccanico importanti per la pianificazione del layout?


Il componente misura 6,5 x 3,5 x 1,6 mm, il che contribuisce a considerare l'ingombro e la distanza.

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