MOSFET Infineon, canale Tipo P 100 V, 800 mΩ Miglioramento, 1 A, 4 Pin, SOT-223, Superficie BSP322PH6327XTSA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
826-9279
Codice costruttore:
BSP322PH6327XTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

1A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

SIPMOS

Tipo di package

SOT-223

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

800mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

1.8W

Tensione diretta Vf

0.84V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

12.4nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

3.5mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.5mm

Altezza

1.6mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET canale P Infineon SIPMOS®


I MOSFET a canale P- a segnale ridotto Infineon SIPMOS® dispongono di diverse caratteristiche che possono includere modalità potenziata, corrente in drain continua, come ad esempio corrente a -80 A oltre a un'ampia gamma di temperature d'esercizio. Il transistor di potenza SIPMOS può essere utilizzato in una vasta gamma di applicazioni, tra cui le telecomunicazioni, eMobility, notebook, dispositivi c.c./c.c. e il settore automobilistico.

· Qualifica AEC Q101 (si prega di fare riferimento alla scheda tecnica)

· Placcatura senza piombo; conformità RoHS

Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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