MOSFET Infineon, canale P, 800 mΩ, 1,17 A, SOT-223, Montaggio superficiale

I MOSFET a canale P- a segnale ridotto Infineon SIPMOS^® dispongono di diverse caratteristiche che possono includere modalità potenziata, corrente in drain continua, come ad esempio corrente a -80 A oltre a un'ampia gamma di temperature d'esercizio. Il transistor di potenza SIPMOS può essere utilizzato in una vasta gamma di applicazioni, tra cui le telecomunicazioni, eMobility, notebook, dispositivi c.c./c.c. e il settore automobilistico.

· Qualifica AEC Q101 (si prega di fare riferimento alla scheda tecnica)
· Placcatura senza piombo; conformità RoHS

Le famiglie OptiMOS BSP315P di Infineon includono MOSFET di potenza Questi prodotti soddisfano costantemente i requisiti di qualità e prestazioni più elevati nelle specifiche chiave per la progettazione di sistemi di alimentazione, come la resistenza in stato attivo e le caratteristiche di figura del merito.

Canale P.
Modalità potenziata
Classificazione Avalanche
Livello di logica

Transistor MOSFET, Infineon

Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.