MOSFET Infineon, canale N 800 V, 450 mΩ Miglioramento, 1.5 A, 3 Pin, SOT-223, Superficie

Codice RS:: 219-5996
Codice costruttore:: IPN80R4K5P7ATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N 800 V, 450 mΩ Miglioramento, 1.5 A, 3 Pin, SOT-223, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

513,00 €

(IVA esclusa)

627,00 €

(IVA inclusa)

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

In magazzino

3000 unità pronte per la spedizione da un'altra sede

Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità	Per unità	Per bobina*
3000 +	0,171 €	513,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 219-5996
Codice costruttore:: IPN80R4K5P7ATMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.

Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	1.5A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	800V
	Serie	CoolMOS P7
	Tipo di package	SOT-223
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	450mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Tensione diretta Vf	900mV
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	4nC
	Dissipazione di potenza massima Pd	6W
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Larghezza	3.7mm
	Standard/Approvazioni	No
	Altezza	1.8mm
	Lunghezza	6.7mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo di canale N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 1.5A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 800V
	Serie CoolMOS P7
	Tipo di package SOT-223
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 450mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Tensione diretta Vf 900mV
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 4nC
	Dissipazione di potenza massima Pd 6W
	Minima temperatura operativa -55°C
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Larghezza 3.7mm
	Standard/Approvazioni No
	Altezza 1.8mm
	Lunghezza 6.7mm
	Standard automobilistico No

Datasheet - IPN80R4K5P7ATMA1

MOSFET CoolMOS Infineon serie P7, tensione massima della sorgente di drenaggio di 800 V, corrente di drenaggio continua massima di 1,5 A - IPN80R4K5P7ATMA1

Questo MOSFET è un transistor di commutazione ad alta tensione progettato per la conversione di potenza a montaggio superficiale e le attività di controllo. Funziona in modo affidabile in un'ampia gamma di ambienti ed è progettato per l'uso nei casi in cui è richiesto un robusto blocco di tensione e una capacità di corrente continua moderata.

Caratteristiche e vantaggi:

• Il valore nominale drain-source di 800 V consente applicazioni ad alta tensione
• RDS(on) di 450 mΩ limita le perdite di conduzione durante la commutazione
• La carica gate tipica 4nC riduce i requisiti energetici di azionamento
• La corrente di drenaggio continua di 1.5 A supporta carichi a stato stazionario
• La dissipazione di potenza massima di 6 W gestisce lo stress termico durante il funzionamento
• La tolleranza gate di ±20 V consente tensioni standard di gate drive

Applicazioni

• Adatto per alimentatori offline che gestiscono alte tensioni
• Ideale per i convertitori boost nei sistemi industriali
• Utilizzato per stadi di potenza a commutazione con correnti moderate
• Può essere utilizzato per apparecchiature di test dei semiconduttori che richiedono 800 V
• Utilizzato con gruppi a montaggio superficiale su schede di alimentazione compatte

A quali temperature ambientali può operare?

Funziona in un ampio intervallo di temperature da -55 °C a 150 °C, offrendo l'idoneità per ambienti termici estremi.

In che modo il contenitore influisce sulle prestazioni termiche?

Il contenitore a montaggio superficiale SOT‐223 offre un ingombro ridotto e consente una dissipazione del calore compatibile con una dissipazione di potenza massima di 6 W se montato in modo appropriato.

Quali considerazioni sono necessarie per l'azionamento del gate?

Il dispositivo accetta fino a ±20 V tra gate e sorgente e in genere richiede un'energia di azionamento corrispondente a una carica totale del gate di 4 nC per una commutazione rapida.

Quale topologia di commutazione trae maggiore vantaggio dalle sue caratteristiche?

Il funzionamento con potenziamento a canale N ad alta tensione lo rende adatto per topologie che richiedono un blocco a 800 V con una gestione della corrente continua moderata.