MOSFET Infineon, canale Tipo N 800 V, 450 mΩ Miglioramento, 1.5 A, 3 Pin, SOT-223, Superficie

Codice RS:: 219-5996
Codice costruttore:: IPN80R4K5P7ATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo N 800 V, 450 mΩ Miglioramento, 1.5 A, 3 Pin, SOT-223, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

513,00 €

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Codice RS:: 219-5996
Codice costruttore:: IPN80R4K5P7ATMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	1.5A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	800V
	Tipo di package	SOT-223
	Serie	CoolMOS P7
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	450mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	4nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	6W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Tensione diretta Vf	0.9V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Larghezza	3.7mm
	Lunghezza	6.7mm
	Standard/Approvazioni	No
	Altezza	1.8mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 1.5A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 800V
	Tipo di package SOT-223
	Serie CoolMOS P7
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 450mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 4nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 6W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Tensione diretta Vf 0.9V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Larghezza 3.7mm
	Lunghezza 6.7mm
	Standard/Approvazioni No
	Altezza 1.8mm
	Standard automobilistico No

Datasheet - IPN80R4K5P7ATMA1

La serie di MOSFET a super giunzione Infineon 800V CoolMOS P7 è perfetta per applicazioni SMPS a bassa potenza soddisfacendo pienamente le esigenze del mercato in termini di prestazioni, facilità d'uso e rapporto prezzo/prestazioni. Si concentra principalmente sulle applicazioni flyback, tra cui adattatore e caricabatterie, driver LED, SMPS audio, AUX e potenza industriale. Questa nuova famiglia di prodotti offre un guadagno di efficienza fino allo 0,6% e una temperatura del MOSFET inferiore da 2 °C a 8 °C rispetto al modello precedente, nonché alle parti della concorrenza testate in applicazioni flyback tipiche. Consente inoltre progetti con maggiore densità di potenza grazie a minori perdite di commutazione e prodotti DPAK R DS(on) migliori. Nel complesso, aiuta i clienti a risparmiare sui costi delle distinte materiali e a ridurre gli sforzi di assemblaggio.

Facile da guidare e da progettare

Migliore resa di produzione grazie alla riduzione dei guasti legati alle ESD

Meno problemi di produzione e minori ritorni sul campo

Parti giuste facili da selezionare per la regolazione fine dei progetti

MOSFET Infineon, canale Tipo N 800 V, 450 mΩ Miglioramento, 1.5 A, 3 Pin, SOT-223, Superficie

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