MOSFET Infineon, canale N 700 V, 450 mΩ Miglioramento, 10 A, 3 Pin, SOT-223, Superficie IPN70R450P7SATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
217-2548
Codice costruttore:
IPN70R450P7SATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

10A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

700V

Serie

IPN

Tipo di package

SOT-223

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

450mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

900mV

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Dissipazione di potenza massima Pd

6.2W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

13.1nC

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

3.7mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.7mm

Altezza

1.8mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Infineon CoolMOS™ P7 supergiunzione (SJ) è progettato per risolvere le sfide tipiche del mercato degli SMPS a bassa potenza, offrendo eccellenti prestazioni e facilità d'uso, consentendo fattori di forma e competitività dei prezzi migliorati.......... Il modello Infineon CoolMOS SJ (Supergiunzione) Il contenitore SOT-223 è un'alternativa drop-in one-to-one conveniente rispetto ai DPAK che consente anche la riduzione dell'ingombro in alcuni progetti. Può essere posizionato su un tipico ingombro DPAK e mostra prestazioni termiche paragonabili. Questa combinazione rende CoolMOS™ P7 in SOT-223 una soluzione perfetta per le applicazioni target.

Perdite estremamente basse dovute a FOMR DS(on)*Qg e molto basse RDS(ON)*Eoss

Eccellente comportamento termico

Diodo di protezione ESD integrato

Basse perdite di commutazione (Eoss)

Convalida prodotto conf. Standard JEDEC

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