MOSFET Infineon, canale N 800 V, 450 mΩ Miglioramento, 1.5 A, 3 Pin, SOT-223, Superficie IPN80R4K5P7ATMA1

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 confezione da 25 unità*

15,65 €

(IVA esclusa)

19,10 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 4600 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per confezione*
25 - 1000,626 €15,65 €
125 - 2250,594 €14,85 €
250 - 6000,569 €14,23 €
625 - 12250,544 €13,60 €
1250 +0,438 €10,95 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
219-5997
Codice costruttore:
IPN80R4K5P7ATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

1.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Serie

CoolMOS P7

Tipo di package

SOT-223

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

450mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

4nC

Tensione diretta Vf

900mV

Dissipazione di potenza massima Pd

6W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.8mm

Lunghezza

6.7mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

3.7mm

Standard automobilistico

No

MOSFET CoolMOS Infineon serie P7, tensione massima della sorgente di drenaggio di 800 V, corrente di drenaggio continua massima di 1,5 A - IPN80R4K5P7ATMA1


Questo MOSFET è un transistor di commutazione ad alta tensione progettato per la conversione di potenza a montaggio superficiale e le attività di controllo. Funziona in modo affidabile in un'ampia gamma di ambienti ed è progettato per l'uso nei casi in cui è richiesto un robusto blocco di tensione e una capacità di corrente continua moderata.

Caratteristiche e vantaggi:


• Il valore nominale drain-source di 800 V consente applicazioni ad alta tensione
• RDS(on) di 450 mΩ limita le perdite di conduzione durante la commutazione
• La carica gate tipica 4nC riduce i requisiti energetici di azionamento
• La corrente di drenaggio continua di 1.5 A supporta carichi a stato stazionario
• La dissipazione di potenza massima di 6 W gestisce lo stress termico durante il funzionamento
• La tolleranza gate di ±20 V consente tensioni standard di gate drive

Applicazioni


• Adatto per alimentatori offline che gestiscono alte tensioni
• Ideale per i convertitori boost nei sistemi industriali
• Utilizzato per stadi di potenza a commutazione con correnti moderate
• Può essere utilizzato per apparecchiature di test dei semiconduttori che richiedono 800 V
• Utilizzato con gruppi a montaggio superficiale su schede di alimentazione compatte

A quali temperature ambientali può operare?


Funziona in un ampio intervallo di temperature da -55 °C a 150 °C, offrendo l'idoneità per ambienti termici estremi.

In che modo il contenitore influisce sulle prestazioni termiche?


Il contenitore a montaggio superficiale SOT‐223 offre un ingombro ridotto e consente una dissipazione del calore compatibile con una dissipazione di potenza massima di 6 W se montato in modo appropriato.

Quali considerazioni sono necessarie per l'azionamento del gate?


Il dispositivo accetta fino a ±20 V tra gate e sorgente e in genere richiede un'energia di azionamento corrispondente a una carica totale del gate di 4 nC per una commutazione rapida.

Quale topologia di commutazione trae maggiore vantaggio dalle sue caratteristiche?


Il funzionamento con potenziamento a canale N ad alta tensione lo rende adatto per topologie che richiedono un blocco a 800 V con una gestione della corrente continua moderata.

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.