MOSFET Infineon, canale Tipo N 700 V, 450 mΩ Miglioramento, 10 A, 3 Pin, SOT-223, Superficie

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Codice RS:
217-2547
Codice costruttore:
IPN70R450P7SATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

10A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

700V

Serie

IPN

Tipo di package

SOT-223

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

450mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

13.1nC

Minima temperatura operativa

-40°C

Dissipazione di potenza massima Pd

6.2W

Tensione diretta Vf

0.9V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.7mm

Altezza

1.8mm

Larghezza

3.7 mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Infineon CoolMOS™ P7 supergiunzione (SJ) è progettato per risolvere le sfide tipiche del mercato degli SMPS a bassa potenza, offrendo eccellenti prestazioni e facilità d'uso, consentendo fattori di forma e competitività dei prezzi migliorati.......... Il modello Infineon CoolMOS SJ (Supergiunzione) Il contenitore SOT-223 è un'alternativa drop-in one-to-one conveniente rispetto ai DPAK che consente anche la riduzione dell'ingombro in alcuni progetti. Può essere posizionato su un tipico ingombro DPAK e mostra prestazioni termiche paragonabili. Questa combinazione rende CoolMOS™ P7 in SOT-223 una soluzione perfetta per le applicazioni target.

Perdite estremamente basse dovute a FOMR DS(on)*Qg e molto basse RDS(ON)*Eoss

Eccellente comportamento termico

Diodo di protezione ESD integrato

Basse perdite di commutazione (Eoss)

Convalida prodotto conf. Standard JEDEC

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