MOSFET Infineon, canale Tipo N 800 V, 900 mΩ Miglioramento, 6 A, 3 Pin, SOT-223, Superficie

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Codice RS:
219-6002
Codice costruttore:
IPN80R900P7ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Tipo di package

SOT-223

Serie

CoolMOS P7

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

900mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

15nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

7W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

0.9V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.8mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

3.7 mm

Lunghezza

6.7mm

Standard automobilistico

No

La serie di MOSFET a super giunzione Infineon 800V CoolMOS P7 è perfetta per applicazioni SMPS a bassa potenza soddisfacendo pienamente le esigenze del mercato in termini di prestazioni, facilità d'uso e rapporto prezzo/prestazioni. Si concentra principalmente sulle applicazioni flyback, tra cui adattatore e caricabatterie, driver LED, SMPS audio, AUX e potenza industriale. Questa nuova famiglia di prodotti offre un guadagno di efficienza fino allo 0,6% e una temperatura del MOSFET inferiore da 2 °C a 8 °C rispetto al modello precedente, nonché alle parti della concorrenza testate in applicazioni flyback tipiche. Consente inoltre progetti con maggiore densità di potenza grazie a minori perdite di commutazione e prodotti DPAK R DS(on) migliori. Nel complesso, aiuta i clienti a risparmiare sui costi delle distinte materiali e a ridurre gli sforzi di assemblaggio.

Facile da guidare e da progettare

Migliore resa di produzione grazie alla riduzione dei guasti legati alle ESD

Meno problemi di produzione e minori ritorni sul campo

Parti giuste facili da selezionare per la regolazione fine dei progetti

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