MOSFET Infineon, canale Tipo N 800 V, 900 mΩ Miglioramento, 6 A, 3 Pin, SOT-223, Superficie IPN80R900P7ATMA1

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 10 unità*

8,94 €

(IVA esclusa)

10,91 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Per ordini inferiori a 60,00 € (IVA esclusa) il costo della spedizione è 9,50 €.
In magazzino
  • 2380 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
10 - 400,894 €8,94 €
50 - 900,85 €8,50 €
100 - 2400,814 €8,14 €
250 - 4900,776 €7,76 €
500 +0,724 €7,24 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
219-6003
Codice costruttore:
IPN80R900P7ATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Serie

CoolMOS P7

Tipo di package

SOT-223

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

900mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

0.9V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

7W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

15nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

3.7 mm

Lunghezza

6.7mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.8mm

Standard automobilistico

No

La serie di MOSFET a super giunzione Infineon 800V CoolMOS P7 è perfetta per applicazioni SMPS a bassa potenza soddisfacendo pienamente le esigenze del mercato in termini di prestazioni, facilità d'uso e rapporto prezzo/prestazioni. Si concentra principalmente sulle applicazioni flyback, tra cui adattatore e caricabatterie, driver LED, SMPS audio, AUX e potenza industriale. Questa nuova famiglia di prodotti offre un guadagno di efficienza fino allo 0,6% e una temperatura del MOSFET inferiore da 2 °C a 8 °C rispetto al modello precedente, nonché alle parti della concorrenza testate in applicazioni flyback tipiche. Consente inoltre progetti con maggiore densità di potenza grazie a minori perdite di commutazione e prodotti DPAK R DS(on) migliori. Nel complesso, aiuta i clienti a risparmiare sui costi delle distinte materiali e a ridurre gli sforzi di assemblaggio.

Facile da guidare e da progettare

Migliore resa di produzione grazie alla riduzione dei guasti legati alle ESD

Meno problemi di produzione e minori ritorni sul campo

Parti giuste facili da selezionare per la regolazione fine dei progetti

Link consigliati