MOSFET Infineon, canale N 600 V, 60 Ω Depletion, 120 mA, 4 Pin, SOT-223, Superficie BSP135IXTSA1

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 confezione da 10 unità*

4,78 €

(IVA esclusa)

5,83 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 150 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per confezione*
10 - 900,478 €4,78 €
100 - 2400,455 €4,55 €
250 - 4900,436 €4,36 €
500 - 9900,417 €4,17 €
1000 +0,387 €3,87 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
225-0555
Codice costruttore:
BSP135IXTSA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

120mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

SOT-223

Serie

BSP135I

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

60Ω

Modalità canale

Depletion

Dissipazione di potenza massima Pd

1.8W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

3.7nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.8mm

Larghezza

3.7mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.7mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET Infineon serie BSP135I, tensione massima della sorgente di drenaggio di 600 V, corrente di drenaggio continua massima di 120 mA - BSP135IXTSA1


Questo MOSFET è un dispositivo di esaurimento a canale N ad alta tensione progettato per il controllo della potenza a montaggio superficiale in condizioni operative difficili. Funziona come un componente di commutazione e controllo della corrente in grado di gestire elevate sollecitazioni da drain a sorgente, operando in un ampio intervallo di temperature adatto per ambienti difficili.

Caratteristiche e vantaggi:


• Il valore nominale da drenaggio a sorgente di 600 V consente la commutazione ad alta tensione
• L'RDS(on) massimo di 60 Ω garantisce una bassa perdita di conduzione in stato attivo
• La dissipazione di potenza massima di 1,8 W supporta carichi termici modesti
• Corrente di drenaggio continua di 120 mA per applicazioni a bassa corrente costanti
• Carica gate tipica 3.7 nC per prestazioni di commutazione prevedibili
• Massima resistenza gate-source di 20 V per una gestione robusta del gate

Applicazioni


• Adatto per circuiti di commutazione ad alta tensione negli alimentatori
• Ideale per l'elettronica automobilistica che richiede la robustezza dei componenti
• Utilizzato con gruppi a montaggio superficiale su schede compatte
• Può essere utilizzato per la limitazione della corrente o il rilevamento nei circuiti di controllo
• Adatto per ambienti sottoposti a stress termico da -55 °C a 150 °C

Che tipo di contenitore utilizza per l'assemblaggio del circuito stampato?


Viene fornito in un contenitore SOT-223 configurato per il montaggio superficiale.

Quale polarità elettrica e modalità di conduzione utilizza?


Il dispositivo è a canale N e funziona in modalità di esaurimento.

Quale numero di pin è disponibile per considerare la disposizione della scheda?


Il componente presenta quattro pin per il collegamento e il montaggio.

Quale profilo fisico deve essere consentito per la progettazione dell'involucro?


Il componente misura 6,7 mm di lunghezza, 3,7 mm di larghezza e 1,8 mm di altezza.

Quale standard di idoneità automobilistica è soddisfatto per l'uso nei veicoli?


È conforme allo standard per componenti automobilistici AEC‐Q101.

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.