MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 45 Ω Miglioramento, 120 mA, 4 Pin, SOT-223, Superficie BSP125H6327XTSA1

Visualizza MOSFET
Al momento non disponibile
Siamo spiacenti, ma non sappiamo quando questo prodotto sarà di nuovo disponibile.
Opzioni di confezione:
Codice RS:
826-9276
Codice costruttore:
BSP125H6327XTSA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

120mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

SOT-223

Serie

SIPMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

45Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

4.4nC

Tensione diretta Vf

0.8V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.8W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.5mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

3.5 mm

Altezza

1.5mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Distrelec Product Id

304-44-411

MOSFET canale N Infineon SIPMOS®


Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

Link consigliati