- Codice RS:
- 165-7698
- Codice costruttore:
- BSP320SH6327XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
Prodotto al momento non disponibile. La consegna avverrà entro 4 giorni lavorativi a partire dal 09/05/2025.
Aggiunto
Prezzo per Unità (Su Bobina da 1000)
0,256 €
(IVA esclusa)
0,312 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità | Per Bobina* |
1000 - 1000 | 0,256 € | 256,00 € |
2000 - 4000 | 0,244 € | 244,00 € |
5000 + | 0,228 € | 228,00 € |
*prezzo indicativo |
- Codice RS:
- 165-7698
- Codice costruttore:
- BSP320SH6327XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
MOSFET canale N Infineon SIPMOS®
Transistor MOSFET, Infineon
Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Tipo di canale | N |
Corrente massima continuativa di drain | 2,9 A |
Tensione massima drain source | 60 V |
Serie | SIPMOS |
Tipo di package | SOT-223 |
Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
Numero pin | 3 |
Resistenza massima drain source | 120 mΩ |
Modalità del canale | Enhancement |
Tensione di soglia gate massima | 4V |
Tensione di soglia gate minima | 2.1V |
Dissipazione di potenza massima | 1,8 W |
Configurazione transistor | Singolo |
Tensione massima gate source | -20 V, +20 V |
Carica gate tipica @ Vgs | 9,7 nC a 10 V |
Lunghezza | 6.5mm |
Materiale del transistor | Si |
Massima temperatura operativa | +150 °C |
Larghezza | 3.5mm |
Numero di elementi per chip | 1 |
Altezza | 1.6mm |
Minima temperatura operativa | -55 °C |
- Codice RS:
- 165-7698
- Codice costruttore:
- BSP320SH6327XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
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