MOSFET onsemi, canale P, 150 mΩ, 2,9 A, SOT-223, Montaggio superficiale

Codice RS:: 802-1478
Codice costruttore:: NTF5P03T3G
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale P, 150 mΩ, 2,9 A, SOT-223, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 802-1478
Codice costruttore:: NTF5P03T3G
Costruttore:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	2,9 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SOT-223
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	150 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3V
Dissipazione di potenza massima	3,13 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Carica gate tipica @ Vgs	15 nC a 10 V
Larghezza	3.7mm
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	6.7mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.65mm

MOSFET onsemi, canale P, 150 mΩ, 2,9 A, SOT-223, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale P da 30 V a 500 V, ON Semiconductor

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