MOSFET onsemi, canale P, 70 mΩ, 8,4 A, SOT-223, Montaggio superficiale

Codice RS:: 121-6514
Codice costruttore:: NTF6P02T3G
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale P, 70 mΩ, 8,4 A, SOT-223, Montaggio superficiale

Immagine rappresentativa della gamma

Prezzo per Unità (Su Bobina da 4000)

0,495 €

(IVA esclusa)

0,604 €

(IVA inclusa)

3400 Disponibile per la consegna entro 2 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)*

* Le date di consegna possono variare in base alla quantità selezionata e all'indirizzo di consegna.

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

Unità	Per unità	Per bobina**
4000 +	0,495 €	1.980,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 121-6514
Codice costruttore:: NTF6P02T3G
Costruttore:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	8,4 A
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	SOT-223
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	70 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1V
Dissipazione di potenza massima	8,3 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	+8 V
Lunghezza	6.7mm
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	15 nC a 4,5 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	3.7mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.65mm

MOSFET onsemi, canale P, 70 mΩ, 8,4 A, SOT-223, Montaggio superficiale

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

MOSFET di potenza a canale P, 20 V, ON Semiconductor

Link consigliati