MOSFET onsemi, canale Tipo P 20 V, 70 mΩ Miglioramento, 8.4 A, 3 Pin, SOT-223, Superficie NVF6P02T3G

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
805-1996
Codice costruttore:
NVF6P02T3G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

8.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Serie

NVF6P02

Tipo di package

SOT-223

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

70mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

15nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

8.3W

Tensione diretta Vf

-1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-8V, +8V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

3.7mm

Altezza

1.65mm

Lunghezza

6.7mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET di potenza a canale P, 20 V, ON Semiconductor


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