MOSFET onsemi, canale P, 70 mΩ, 8,4 A, SOT-223, Montaggio superficiale

Codice RS:: 805-1996
Codice costruttore:: NVF6P02T3G
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale P, 70 mΩ, 8,4 A, SOT-223, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 805-1996
Codice costruttore:: NVF6P02T3G
Costruttore:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	8,4 A
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	SOT-223
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	70 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1V
Dissipazione di potenza massima	8,3 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-8 V, +8 V
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Carica gate tipica @ Vgs	15 nC a 4,5 V
Lunghezza	6.7mm
Larghezza	3.7mm
Materiale del transistor	Si
Altezza	1.65mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale P, 70 mΩ, 8,4 A, SOT-223, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza a canale P, 20 V, ON Semiconductor

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