MOSFET Infineon, canale Tipo P 60 V, 130 mΩ Miglioramento, 2.9 A, 4 Pin, SOT-223, Superficie BSP613PH6327XTSA1

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 20 unità*

11,64 €

(IVA esclusa)

14,20 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 2600 unità in spedizione dal 29 dicembre 2025
  • Più 13.680 unità in spedizione dal 05 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
20 - 800,582 €11,64 €
100 - 1800,454 €9,08 €
200 - 4800,425 €8,50 €
500 - 9800,396 €7,92 €
1000 +0,367 €7,34 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
892-2236
Codice costruttore:
BSP613PH6327XTSA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

2.9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

SOT-223

Serie

SIPMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

130mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

22nC

Tensione diretta Vf

1.1V

Dissipazione di potenza massima Pd

10.8W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

40mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.5mm

Larghezza

40 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Distrelec Product Id

304-44-417

MOSFET canale P Infineon SIPMOS®


I MOSFET a canale P- a segnale ridotto Infineon SIPMOS® dispongono di diverse caratteristiche che possono includere modalità potenziata, corrente in drain continua, come ad esempio corrente a -80 A oltre a un'ampia gamma di temperature d'esercizio. Il transistor di potenza SIPMOS può essere utilizzato in una vasta gamma di applicazioni, tra cui le telecomunicazioni, eMobility, notebook, dispositivi c.c./c.c. e il settore automobilistico.

· Qualifica AEC Q101 (si prega di fare riferimento alla scheda tecnica)

· Placcatura senza piombo; conformità RoHS

Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

Link consigliati