MOSFET Infineon, canale N 600 V, 360 mΩ Miglioramento, 9 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

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Codice RS:
214-4371
Codice costruttore:
IPB60R360P7ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

TO-263

Serie

600V CoolMOS P7

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

360mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

41W

Tensione diretta Vf

900mV

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

13nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

4.5mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.02mm

Larghezza

9.27mm

Standard automobilistico

No

MOSFET CoolMOS Infineon serie P7 da 600 V, tensione di sorgente di drenaggio 600 V, corrente di drenaggio continua 9 A - IPB60R360P7ATMA1


Questo MOSFET è un dispositivo a canale N ad alta tensione progettato per la commutazione e la conversione di potenza nei sistemi di alimentazione industriali. È fornito in un contenitore a montaggio superficiale TO-263 ed è destinato ad applicazioni che richiedono un controllo robusto del gate e una gestione significativa della corrente di drenaggio all'interno di intervalli di temperatura elevati.

Caratteristiche e vantaggi:


• Il valore nominale drain-source di 600 V consente la capacità di commutazione ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 9 A supporta correnti di carico sostanziali
• Rds(on) di 360 mΩ riduce le perdite di conduzione sotto carico
• La dissipazione di potenza massima di 41 W gestisce lo stress termico durante il funzionamento
• La carica gate tipica di 13 nC consente transizioni di pilotaggio gate efficienti
• La tolleranza massima gate-source di 20 V consente tensioni di gate drive comuni

Applicazioni


• Utilizzato per stadi di commutazione di alimentazione ad alta tensione
• Adatto per moduli di conversione CA/CC industriali
• Ideale per implementazioni di rettifica sincrona sul lato secondario
• Può essere utilizzato per circuiti ausiliari di azionamento motore ad alta tensione
• Utilizzato con gruppi a montaggio superficiale che richiedono dispositivi di alimentazione a tre terminali

Quali temperature estreme può tollerare durante il funzionamento?


Funziona in un intervallo compreso tra -55 °C e 150 °C, consentendo l'utilizzo in ambienti termici difficili.

Quale contenitore e metodo di montaggio utilizza per l'integrazione della scheda?


Viene fornito in un contenitore TO-263 progettato per il montaggio superficiale per facilitare il contatto termico e l'assemblaggio automatizzato.

In che modo il dispositivo gestisce i requisiti del gate drive per una commutazione rapida?


Con una carica gate tipica di 13 nC e un limite gate-source di 20 V, supporta la commutazione rapida utilizzando le comuni tensioni gate-driver.

Quale polarità e modalità di controllo impiega il transistor?


Si tratta di un dispositivo in modalità di potenziamento di tipo N adatto per topologie di commutazione low-side e high-side.

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