MOSFET Infineon, canale N 600 V, 360 mΩ Miglioramento, 9 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IPB60R360P7ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
214-4372
Codice costruttore:
IPB60R360P7ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

TO-263

Serie

600V CoolMOS P7

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

360mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

13nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

900mV

Dissipazione di potenza massima Pd

41W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.02mm

Larghezza

9.27mm

Altezza

4.5mm

Standard automobilistico

No

MOSFET CoolMOS Infineon serie P7 da 600 V, tensione di sorgente di drenaggio 600 V, corrente di drenaggio continua 9 A - IPB60R360P7ATMA1


Questo MOSFET è un dispositivo a canale N ad alta tensione progettato per la commutazione e la conversione di potenza nei sistemi di alimentazione industriali. È fornito in un contenitore a montaggio superficiale TO-263 ed è destinato ad applicazioni che richiedono un controllo robusto del gate e una gestione significativa della corrente di drenaggio all'interno di intervalli di temperatura elevati.

Caratteristiche e vantaggi:


• Il valore nominale drain-source di 600 V consente la capacità di commutazione ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 9 A supporta correnti di carico sostanziali
• Rds(on) di 360 mΩ riduce le perdite di conduzione sotto carico
• La dissipazione di potenza massima di 41 W gestisce lo stress termico durante il funzionamento
• La carica gate tipica di 13 nC consente transizioni di pilotaggio gate efficienti
• La tolleranza massima gate-source di 20 V consente tensioni di gate drive comuni

Applicazioni


• Utilizzato per stadi di commutazione di alimentazione ad alta tensione
• Adatto per moduli di conversione CA/CC industriali
• Ideale per implementazioni di rettifica sincrona sul lato secondario
• Può essere utilizzato per circuiti ausiliari di azionamento motore ad alta tensione
• Utilizzato con gruppi a montaggio superficiale che richiedono dispositivi di alimentazione a tre terminali

Quali temperature estreme può tollerare durante il funzionamento?


Funziona in un intervallo compreso tra -55 °C e 150 °C, consentendo l'utilizzo in ambienti termici difficili.

Quale contenitore e metodo di montaggio utilizza per l'integrazione della scheda?


Viene fornito in un contenitore TO-263 progettato per il montaggio superficiale per facilitare il contatto termico e l'assemblaggio automatizzato.

In che modo il dispositivo gestisce i requisiti del gate drive per una commutazione rapida?


Con una carica gate tipica di 13 nC e un limite gate-source di 20 V, supporta la commutazione rapida utilizzando le comuni tensioni gate-driver.

Quale polarità e modalità di controllo impiega il transistor?


Si tratta di un dispositivo in modalità di potenziamento di tipo N adatto per topologie di commutazione low-side e high-side.

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