MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 360 mΩ Miglioramento, 9 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IPB60R360P7ATMA1
- Codice RS:
- 214-4372
- Codice costruttore:
- IPB60R360P7ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 214-4372
- Codice costruttore:
- IPB60R360P7ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 9A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Serie | 600V CoolMOS P7 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 360mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 13nC | |
| Tensione diretta Vf | 0.9V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 41W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 10.02mm | |
| Altezza | 4.5mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 9A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Serie 600V CoolMOS P7 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 360mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 13nC | ||
Tensione diretta Vf 0.9V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 41W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 10.02mm | ||
Altezza 4.5mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Questo MOSFET a super giunzione P7 Cool MOS Infineon 600V continua a bilanciare la necessità di un'elevata efficienza rispetto alla facilità d'uso nel processo di progettazione. La migliore RonxA della categoria e la carica di gate intrinsecamente bassa (QG) della piattaforma di generazione Cool MOS™ 7th ne garantiscono un'elevata efficienza.
È dotato di un diodo robusto
La RG integrata riduce la sensibilità di oscillazione del MOSFET
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