MOSFET Infineon, canale N 600 V, 360 mΩ Miglioramento, 9 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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Codice RS:
217-2522
Codice costruttore:
IPD60R360P7SAUMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

IPD

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

360mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

41W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

9.4nC

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione diretta Vf

900mV

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

6.22mm

Lunghezza

6.73mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

2.41mm

Standard automobilistico

No

MOSFET Infineon serie IPD, tensione drain source 600 V, dissipazione di potenza massima 41 W - IPD60R360P7SAUMA1


Questo MOSFET è un dispositivo di potenziamento a canale N ad alta tensione progettato per applicazioni di commutazione e controllo della potenza in cui sono richieste elevate tensioni di drenaggio e capacità di corrente moderata. Funziona in un ampio intervallo di temperature ed è fornito in un contenitore a montaggio superficiale adatto per gruppi di alimentazione compatti.

Caratteristiche e vantaggi:


• Valore nominale drain‐source di 600 V che consente la commutazione ad alta tensione
• Corrente di drenaggio continua di 9 A che supporta correnti di carico moderate
• L'Rds(on) di 360 mΩ riduce al minimo le perdite di conduzione durante il funzionamento
• Carica gate da 9,4 nC per requisiti di azionamento di commutazione ridotti
• Dissipazione di potenza di 41 W che consente un carico termico sostanziale
• Limite gate‐source 20 V che consente ampie gamme di gate‐drive

Applicazioni


• Adatto per convertitori e inverter di potenza ad alta tensione
• Utilizzato per gli elementi di commutazione nelle fasi di azionamento del motore
• Ideale per le attività di commutazione dell'alimentazione industriale
• Può essere utilizzato per circuiti a mezzo ponte e a morsetto
• Utilizzato con gruppi di alimentazione discreti in progetti SMD compatti

Quale intervallo termico può sopportare questo dispositivo?


È specificato per funzionare da -40 °C fino a 150 °C per adattarsi ad ambienti termici difficili.

Che tipo di contenitore e tipo di montaggio sono forniti?


Il dispositivo viene fornito in un contenitore TO‐252 configurato per il montaggio superficiale per adattarsi ai layout di alimentazione del circuito stampato.

In che modo la tensione diretta influisce sul comportamento di conduzione?


La tensione diretta è di 0,9 V, che influisce sulla caduta di conduzione lato basso durante il flusso di corrente diretta.

Quali limitazioni dell'azionamento del gate devono essere rispettate?


La tensione di sorgente gate non deve superare 20 V per evitare lo stress da ossido gate.

Quanti collegamenti esterni presenta?


Il componente è dotato di tre pin per i collegamenti gate, drain e source.

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