MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 360 mΩ Miglioramento, 9 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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Codice RS:
217-2522
Codice costruttore:
IPD60R360P7SAUMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

TO-252

Serie

IPD

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

360mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

41W

Tensione diretta Vf

0.9V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

9.4nC

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

2.41mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.73mm

Larghezza

6.22mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Infineon P7 CoolMOS™ 600V supergiunzione (SJ) è il successore della serie 600V CoolMOS™ P6 Infineon. Continua a bilanciare la necessità di un'elevata efficienza rispetto alla facilità d'uso nel processo di progettazione. La migliore R onxA della categoria e la carica di gate intrinsecamente bassa (Q G) della piattaforma di generazione CoolMOS™ 7th garantiscono la sua elevata efficienza.

Il modello 600V P7 consente un'eccellente FOM R DS(on)XE oss e R DS(on)XQ G

Robustezza ESD di ≥ 2kV (HBM classe 2)

Resistore gate integrato R G

Diodo dal corpo robusto

Ampia gamma di contenitori a foro passante e per montaggio superficiale

Sono disponibili parti di grado standard e industriale

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