MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 600 V, 360 mΩ Miglioramento, 11 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

2257,50 €

(IVA esclusa)

2755,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 15 giugno 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
2500 +0,903 €2.257,50 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
188-8287
Codice costruttore:
STD13N60DM2
Costruttore:
STMicroelectronics
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

11A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

360mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

12.5nC

Tensione diretta Vf

1.6V

Dissipazione di potenza massima Pd

110W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

2.17mm

Larghezza

6.2 mm

Lunghezza

6.6mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Questo MOSFET di potenza a canale N ad alta tensione fa parte della serie di diodi a recupero rapido MDmesh™ DM2. Offre una carica di recupero molto bassa (Qrr) e un tempo (trr) combinati con un RDS(on) basso, rendendola adatta per i convertitori ad alta efficienza più esigenti e ideale per topologie a ponte e convertitori di sfasamento ZVS.

Diodo corpo a recupero rapido

Capacità di ingresso e carica del gate estremamente bassa

Bassa resistenza in stato attivo

Robustezza dv/dt estremamente elevata

Protezione Zener

Applications

Applicazioni di commutazione

Link consigliati