MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 600 V, 360 mΩ Miglioramento, 11 A, 3 Pin, TO-220FP, Foro passante STF13NM60N
- Codice RS:
- 761-2751
- Codice costruttore:
- STF13NM60N
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 761-2751
- Codice costruttore:
- STF13NM60N
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 11A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Serie | MDmesh | |
| Tipo di package | TO-220FP | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 360mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 30nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | ±25 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 25W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 16.4mm | |
| Lunghezza | 10.4mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 4.6 mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 11A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Serie MDmesh | ||
Tipo di package TO-220FP | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 360mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 30nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±25 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 25W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 16.4mm | ||
Lunghezza 10.4mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 4.6 mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET di potenza MDmesh II a canale N da 600 V, 280 mOhm tipici, 11 A in un contenitore TO-220FP
Questi dispositivi sono MOSFET di potenza a canale N sviluppati utilizzando la tecnologia MDmesh di seconda generazione. Questi rivoluzionari MOSFET di potenza associano una struttura verticale al layout a strisce dell'azienda per ottenere una resistenza di accensione e una carica di gate tra le più basse al mondo. Sono quindi adatti ai convertitori ad alta efficienza più esigenti.
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