MOSFET STMicroelectronics, canale N 600 V, 380 mΩ Miglioramento, 11 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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Codice RS:
165-6595
Codice costruttore:
STD13NM60ND
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

11A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

FDmesh

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

380mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.6V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-25V, +25V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

24.5nC

Dissipazione di potenza massima Pd

109W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

6.2mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.6mm

Altezza

2.4mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET di potenza FDmesh™ a canale N, STMicroelectronics


Transistor MOSFET, STMicroelectronics


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