MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 600 V, 0.36 Ω Miglioramento, 11 A, 3 Pin, TO-252, Superficie STD13NM60N

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
151-952
Codice costruttore:
STD13NM60N
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

11A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

TO-252

Serie

MDmesh II

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.36Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

27nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.5V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

2.4mm

Lunghezza

10.1mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza STMicroelectronics è sviluppato utilizzando la tecnologia MDmesh di seconda generazione. Questo rivoluzionario MOSFET di potenza associa una struttura verticale al layout della striscia dell'azienda per produrre uno dei valori più bassi al mondo sulla resistenza e sulla carica del gate. È quindi adatto per i convertitori ad alta efficienza più esigenti.

Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga

Bassa capacità di ingresso e carica del gate

Bassa resistenza di ingresso gate

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