MOSFET STMicroelectronics, canale N, 338 m.Ω, 12 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Il MOSFET di potenza a canale N ad alta tensione STMicroelectronics fa parte della serie di diodi a recupero rapido Mesh DM6. Rispetto alla precedente generazione veloce di mesh, DM6 combina una carica di recupero molto bassa (Qrr), un tempo di recupero (trr) e un eccellente miglioramento in RDS(ON) per area con uno dei comportamenti di commutazione più efficaci disponibili sul mercato per le topologie a ponte ad alta efficienza più impegnative e convertitori a sfasamento ZVS.

Diodo corpo a recupero rapido
RDS(ON) inferiore per area rispetto alla generazione precedente
Bassa carica di gate, capacità di ingresso e resistenza
Testato con effetto valanga al 100%
Robustezza dv/dt estremamente elevata
Protezione Zener