MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 600 V, 338 mΩ Miglioramento, 12 A, 3 Pin, TO-252, Superficie STD15N60DM6

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

10,56 €

(IVA esclusa)

12,885 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 29 aprile 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
5 - 452,112 €10,56 €
50 - 951,804 €9,02 €
100 - 2451,412 €7,06 €
250 - 9951,384 €6,92 €
1000 +1,03 €5,15 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
210-8742
Codice costruttore:
STD15N60DM6
Costruttore:
STMicroelectronics
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

12A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

338mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

15.3nC

Dissipazione di potenza massima Pd

110W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25 V

Tensione diretta Vf

1.6V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.6mm

Altezza

2.4mm

Larghezza

6.2 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza a canale N ad alta tensione STMicroelectronics fa parte della serie di diodi a recupero rapido Mesh DM6. Rispetto alla precedente generazione veloce di mesh, DM6 combina una carica di recupero molto bassa (Qrr), un tempo di recupero (trr) e un eccellente miglioramento in RDS(ON) per area con uno dei comportamenti di commutazione più efficaci disponibili sul mercato per le topologie a ponte ad alta efficienza più impegnative e convertitori a sfasamento ZVS.

Diodo corpo a recupero rapido

RDS(ON) inferiore per area rispetto alla generazione precedente

Bassa carica di gate, capacità di ingresso e resistenza

Testato con effetto valanga al 100%

Robustezza dv/dt estremamente elevata

Protezione Zener

Link consigliati