MOSFET STMicroelectronics, canale N 600 V, 338 mΩ Miglioramento, 12 A, 3 Pin, TO-252, Superficie STD15N60DM6

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
210-8742
Codice costruttore:
STD15N60DM6
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

12A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

338mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

15.3nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

110W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25V

Tensione diretta Vf

1.6V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

2.4mm

Lunghezza

6.6mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

6.2mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza a canale N ad alta tensione STMicroelectronics fa parte della serie di diodi a recupero rapido Mesh DM6. Rispetto alla precedente generazione veloce di mesh, DM6 combina una carica di recupero molto bassa (Qrr), un tempo di recupero (trr) e un eccellente miglioramento in RDS(ON) per area con uno dei comportamenti di commutazione più efficaci disponibili sul mercato per le topologie a ponte ad alta efficienza più impegnative e convertitori a sfasamento ZVS.

Diodo corpo a recupero rapido

RDS(ON) inferiore per area rispetto alla generazione precedente

Bassa carica di gate, capacità di ingresso e resistenza

Testato con effetto valanga al 100%

Robustezza dv/dt estremamente elevata

Protezione Zener

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