MOSFET STMicroelectronics, canale N, 600 mΩ, 7 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

I MOSFET di potenza MDmesh M5 sono ottimizzati per le topologie PFC e PWM ad alta potenza. Le caratteristiche principali includono una bassa perdita in stato attivo per ogni area di silicio unitamente a una bassa carica di gate. Sono progettati per applicazioni hard switching compatte, affidabili e a risparmio energetico, come ad esempio convertitori di energia solare, alimentatori per prodotti di consumo e comandi di illuminazione elettronici.

Questi dispositivi sono MOSFET di potenza MDmesh™ V a canale N basati su un'innovativa tecnologia di processo verticale proprietaria, che è combinata con la nota struttura orizzontale PowerMESH™ di STMicroelectronics. Il prodotto risultante ha una resistenza all'accensione estremamente bassa, che non ha eguali tra i MOSFET di potenza a base di silicio, il che lo rende particolarmente adatto per applicazioni che richiedono una densità di potenza superiore e un'efficienza eccezionale.

La migliore area RDS(ON) al mondo
VDSSrating superiore
Elevata capacità dv/dt
Eccellenti prestazioni di commutazione
Facile da guidare
Applications
Applicazioni di commutazione

Transistor MOSFET, STMicroelectronics