MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 710 V, 600 mΩ Miglioramento, 7 A, 3 Pin, TO-252, Superficie STD8N65M5

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
188-8467
Codice costruttore:
STD8N65M5
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

710V

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

600mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.5V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25 V

Dissipazione di potenza massima Pd

70W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

15nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

6.2 mm

Lunghezza

6.6mm

Altezza

2.17mm

Standard automobilistico

No

Questi dispositivi sono MOSFET di potenza MDmesh™ V a canale N basati su un'innovativa tecnologia di processo verticale proprietaria, che è combinata con la nota struttura orizzontale PowerMESH™ di STMicroelectronics. Il prodotto risultante ha una resistenza all'accensione estremamente bassa, che non ha eguali tra i MOSFET di potenza a base di silicio, il che lo rende particolarmente adatto per applicazioni che richiedono una densità di potenza superiore e un'efficienza eccezionale.

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