MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 600 V, 320 mΩ Miglioramento, 12 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

2292,50 €

(IVA esclusa)

2797,50 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 5000 unità in spedizione dal 31 agosto 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
2500 +0,917 €2.292,50 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
165-5379
Codice costruttore:
STD16N60M2
Costruttore:
STMicroelectronics
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

12A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

TO-252

Serie

MDmesh M2

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

320mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

110W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

19nC

Tensione diretta Vf

1.6V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

6.2mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

2.4mm

Lunghezza

6.6mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MDmesh™ a canale N serie M2, STMicroelectronics


Una gamma di MOSFET di potenza ad alta tensione di STMicroelecronics. Grazie alla carica di gate bassa e all'eccellente capacità di uscita, la serie MDmesh M2 è perfetta per l'uso in alimentatori switching risonanti (convertitori LLC).

Transistor MOSFET, STMicroelectronics


Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.