MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 600 V, 320 mΩ Miglioramento, 12 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

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Codice RS:
165-5379
Codice costruttore:
STD16N60M2
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

12A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

MDmesh M2

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

320mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

19nC

Dissipazione di potenza massima Pd

110W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.6V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.6mm

Larghezza

6.2 mm

Altezza

2.4mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MDmesh™ a canale N serie M2, STMicroelectronics


Una gamma di MOSFET di potenza ad alta tensione di STMicroelecronics. Grazie alla carica di gate bassa e all'eccellente capacità di uscita, la serie MDmesh M2 è perfetta per l'uso in alimentatori switching risonanti (convertitori LLC).

Transistor MOSFET, STMicroelectronics


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