MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 600 V, 750 mΩ Miglioramento, 6 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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Codice RS:
225-0671
Codice costruttore:
STD9N60M6
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

750mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.6V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

10nC

Dissipazione di potenza massima Pd

76W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

La nuova tecnologia MDmesh M6 di STMicroelectronics incorpora i più recenti progressi nella nota e consolidata famiglia MDmesh di MOSFET SJ. STMicroelectronics si basa sulla generazione precedente di dispositivi MDmesh attraverso la sua nuova tecnologia M6, che combina un eccellente miglioramento RDS(ON) per area con uno dei comportamenti di commutazione più efficaci disponibili, nonché un'esperienza facile da usare per la massima efficienza delle applicazioni finali.

Perdite di commutazione ridotte

RDS(ON) inferiore per area rispetto alla generazione precedente

Bassa resistenza di ingresso gate

Testato con effetto valanga al 100%

Protezione Zener

584

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