MOSFET STMicroelectronics, canale N 650 V, 380 mΩ Miglioramento, 11 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

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Codice RS:
165-6548
Codice costruttore:
STB13N60M2
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

11A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

MDmesh M2

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

380mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-25V, +25V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

17nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

110W

Tensione diretta Vf

1.6V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

4.6mm

Lunghezza

10.4mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

9.35mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MDmesh™ a canale N serie M2, STMicroelectronics


Una gamma di MOSFET di potenza ad alta tensione di STMicroelecronics. Grazie alla carica di gate bassa e all'eccellente capacità di uscita, la serie MDmesh M2 è perfetta per l'uso in alimentatori switching risonanti (convertitori LLC).

Transistor MOSFET, STMicroelectronics


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