MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 650 V, 630 mΩ Miglioramento, 7 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 1000 unità*

5987,00 €

(IVA esclusa)

7304,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 04 maggio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
1000 +5,987 €5.987,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
188-8283
Codice costruttore:
STB43N65M5
Costruttore:
STMicroelectronics
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

630mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.6V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25 V

Dissipazione di potenza massima Pd

70W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

15nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

10.4mm

Altezza

4.37mm

Larghezza

9.35 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

Questo dispositivo è un MOSFET di potenza a canale N basato sull'innovativa tecnologia di processo verticale MDmesh™ M5 combinata con il ben noto layout orizzontale PowerMESH™. Il prodotto risultante offre una resistenza all'accensione estremamente bassa, il che lo rende particolarmente adatto per le applicazioni che richiedono un'elevata potenza e un'efficienza superiore.

RDS(ON) estremamente basso

Bassa carica del gate e capacità di ingresso

Eccellenti prestazioni di commutazione

Applications

Applicazioni di commutazione

Link consigliati