MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 650 V, 190 mΩ Miglioramento, 17 A, 3 Pin, TO-263, Superficie STB24NM60N

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
760-9499
Codice costruttore:
STB24NM60N
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

17A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-263

Serie

MDmesh

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

190mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

46nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

125W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Tensione diretta Vf

1.6V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

4.6mm

Lunghezza

10.75mm

Larghezza

10.4 mm

Standard automobilistico

No

MDmesh™ a canale N, 600 V/650 V, STMicroelectronics


Transistor MOSFET, STMicroelectronics


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