MOSFET onsemi, canale Tipo N 650 V, 190 mΩ Miglioramento, 20 A, 3 Pin, TO-263, Superficie NVB190N65S3F

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
195-2667
Codice costruttore:
NVB190N65S3F
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

20A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

190mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

162W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

34nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

4.58mm

Lunghezza

10.67mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET SUPERFET III è la nuovissima famiglia di MOSFET a super-giunzione (SJ) ad alta tensione di ON Semiconductor che utilizza la tecnologia di bilanciamento della carica per resistenza eccezionalmente bassa in stato attivo e prestazioni di bassa carica di gate. Questa tecnologia avanzata è personalizzata per ridurre la perdita di conduzione, fornisce eccellenti prestazioni di commutazione, e resiste a estreme velocità dv/dt. Di conseguenza, MOSFET SuperFET III è perfetto per i vari sistemi di alimentazione per la miniaturizzazione e una maggiore efficienza. Le prestazioni di recupero inverso ottimizzate del corpo diodo del MOSFET SuperFET III FRFET® eliminano la necessità di componenti aggiuntivi e migliorano l’affidabilità del sistema.

701 V @ TJ = 150 °C.

Maggiore affidabilità del sistema a bassa temperatura di esercizio

Carica di gate estremamente bassa (tip. Qg = 18 nC)

Minore perdita di commutazione

Bassa capacità di uscita effettiva (Coss(eff.) = 715 pF)

Minore perdita di commutazione

Capacità PPAP

Tip. RDS(ON) = 158 mΩ

Applicazione

Convertitore CC/CC

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