MOSFET e diodo Infineon, canale Tipo N 650 V, 190 mΩ Miglioramento, 57.2 A, TO-263, Superficie IPB65R190CFDAATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
220-7393
Codice costruttore:
IPB65R190CFDAATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET e diodo

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

57.2A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

CoolMOS P7

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

190mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza Infineon Super Junction (SJ) Cool MOS è la seconda generazione di MOSFET di potenza Cool MOS ad alta tensione per uso automobilistico di seconda generazione. 650V In aggiunta ai ben noti attributi di alta qualità e affidabilità richiesti dall'industria automobilistica, la serie 650V Cool MOS CFDA fornisce anche un diodo integrato a corpo rapido.

La prima tecnologia 650V qualificata per il settore automobilistico con diodo integrato a corpo rapido sul mercato

Overshoot di tensione limitato durante la commutazione hard - di/dt autolimitante e dv/dt

Basso valore di carica di gate Q g.

Basso Q rr a commutazione ripetitiva su diodo corpo & Q oss. Basso

Tempi di accensione e di attivazione ridotti

Maggiore margine di sicurezza grazie alla tensione di scarica distruttiva più elevata

Aspetto EMI ridotto e facilità di progettazione

Migliore efficienza con carichi leggeri

Minori perdite di commutazione

È possibile una frequenza di commutazione più elevata e/o un duty cycle più elevato

Alta qualità e affidabilità

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