Transistor MOSFET + diodo Infineon, canale N, 0,19 O, 57,2 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Il MOSFET di potenza Infineon Super Junction (SJ) Cool MOS è la seconda generazione di MOSFET di potenza Cool MOS ad alta tensione per uso automobilistico di seconda generazione. 650V In aggiunta ai ben noti attributi di alta qualità e affidabilità richiesti dall'industria automobilistica, la serie 650V Cool MOS CFDA fornisce anche un diodo integrato a corpo rapido.

La prima tecnologia 650V qualificata per il settore automobilistico con diodo integrato a corpo rapido sul mercato
Overshoot di tensione limitato durante la commutazione hard - di/dt autolimitante e dv/dt
Basso valore di carica di gate Q g.
Basso Q rr a commutazione ripetitiva su diodo corpo & Q oss. Basso
Tempi di accensione e di attivazione ridotti
Maggiore margine di sicurezza grazie alla tensione di scarica distruttiva più elevata
Aspetto EMI ridotto e facilità di progettazione
Migliore efficienza con carichi leggeri
Minori perdite di commutazione
È possibile una frequenza di commutazione più elevata e/o un duty cycle più elevato
Alta qualità e affidabilità