MOSFET e diodo Infineon, canale Tipo N 650 V, 60 mΩ Miglioramento, 151 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

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Codice RS:
220-7388
Codice costruttore:
IPB60R060P7ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET e diodo

Massima corrente di scarico continua Id

151A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-263

Serie

CoolMOS P7

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

60mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET a super giunzione P7 Cool MOS 600V Infineon è il successore della serie 600V Cool MOS P6. Continua a bilanciare la necessità di un'elevata efficienza rispetto alla facilità d'uso nel processo di progettazione. La migliore RonxA della categoria e la carica di gate intrinsecamente bassa (QG) della piattaforma di generazione Cool MOS 7th ne garantiscono un'elevata efficienza.

600V P7 consente un'eccellente RDS(ON)xEoss FOM e RDS(ON)xQG

Robustezza ESD di ≥ 2kV (HBM classe 2)

Resistore gate RG integrato

Diodo dal corpo robusto

Ampia gamma di contenitori a foro passante e per montaggio superficiale

Sono disponibili parti di grado standard e industriale

Eccellenti FOMS RDS(ON)xQG / RDS(ON)xEoss consentono una maggiore efficienza

Facilità d'uso in ambienti di produzione grazie all'interruzione dei guasti ESD

La RG integrata riduce la sensibilità di oscillazione del MOSFET

Il MOSFET è adatto per topologie di commutazione sia difficili che risonanti Come PFC e LLC

Eccellente robustezza durante la commutazione difficile del diodo del corpo visto Nella topologia LLC

Adatto per un'ampia varietà di applicazioni finali e uscite poteri

Parti disponibili adatte per applicazioni industriali e di consumo

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