Codice costruttore

MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 160 mΩ Miglioramento, 23.8 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

Codice RS:: 168-5906
Codice costruttore:: IPB60R160P6ATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 160 mΩ Miglioramento, 23.8 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 1000 unità*

1213,00 €

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Codice RS:: 168-5906
Codice costruttore:: IPB60R160P6ATMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	23.8A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	650V
	Tipo di package	TO-263
	Serie	CoolMOS P6
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	160mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione diretta Vf	0.9V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	44nC
	Dissipazione di potenza massima Pd	176W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	30V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Larghezza	4.57mm
	Standard/Approvazioni	No
	Altezza	9.45mm
	Lunghezza	10.31mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 23.8A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V
	Tipo di package TO-263
	Serie CoolMOS P6
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 160mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione diretta Vf 0.9V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 44nC
	Dissipazione di potenza massima Pd 176W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Larghezza 4.57mm
	Standard/Approvazioni No
	Altezza 9.45mm
	Lunghezza 10.31mm
	Standard automobilistico No

Paese di origine:: CN

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