MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 160 mΩ Miglioramento, 23.8 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IPB60R160P6ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
130-0894
Codice costruttore:
IPB60R160P6ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

23.8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

CoolMOS P6

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

160mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

176W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

44nC

Tensione diretta Vf

0.9V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.31mm

Larghezza

4.57 mm

Altezza

9.45mm

Standard automobilistico

No

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