MOSFET Infineon, canale N, 4 mΩ, 190 A, D2PAK-7, Montaggio superficiale

Codice RS:: 168-6011
Codice costruttore:: IRFS4010TRL7PP
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 4 mΩ, 190 A, D2PAK-7, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 800)**

2,007 €

(IVA esclusa)

2,449 €

(IVA inclusa)

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Unità	Per unità	Per bobina**
800 +	2,007 €	1.605,60 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 168-6011
Codice costruttore:: IRFS4010TRL7PP
Costruttore:: Infineon

IRFS4010-7PPbF, HEXFET Power MOSFET 100V
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	190 A
Tensione massima drain source	100 V
Tipo di package	D2PAK-7
Serie	HEXFET
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	7
Resistenza massima drain source	4 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	380 W
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Lunghezza	10.67mm
Carica gate tipica @ Vgs	150 nC @ 10 V
Larghezza	9.65mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Numero di elementi per chip	1
Altezza	4.83mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Tensione diretta del diodo	1.3V

MOSFET Infineon, canale N, 4 mΩ, 190 A, D2PAK-7, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza a canale N da 100V, Infineon

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